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激光化学气相沉积HfO2薄膜的高通量制备与结构控制 |
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题名/责任者:
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激光化学气相沉积HfO2薄膜的高通量制备与结构控制 / 刘子鸣 , 涂溶 |
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语种:
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汉语 |
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载体形态:
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93页 ; 30cm |
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内容提要:
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氧化铪（HfO2）因高介电常数（22~25）、高击穿场强（3.9~6.7 MV/cm）、良好的隔热能... |
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内容提要:
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The advantages of Hafnium Oxide (HfO2), such as a high permittivity, sufficient breakdown field stre... |
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中图分类法
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TB383.2 版次： 5 |
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主要责任者:
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刘子鸣 著 |
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次要责任者:
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涂溶 指导 |
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附注:
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学科专业:材料科学与工程 |
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索书号
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2 |
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标签:
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相关资源:
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分享资源:
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限定所在馆:
限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01562nbm0 2200325 450 001| |00131856 005| |20221226000000.00 100| |▼a20221226d2022 ekmy0chiy50 ea 101|0 |▼achi 105| |▼ay am 000yy 106| |▼ah 200|1 |▼a激光化学气相沉积HfO2薄膜的高通量制备与结构控制▼AJ- | |i Guang Hua Xue Qi Xiang Chen - | |JiHfO2 Bao Mo De Gao Tong Lian- | |g Zhi Bei Yu Jie Gou Kong Zhi▼- | |d= High-throughput growth and - | |structural controlling of HfO2- | | films by laser chemical vapor- | | deposition▼f刘子鸣▼g涂溶▼zeng 215| |▼a93页▼d30cm 300| |▼a学科专业:材料科学与工程 320| |▼a有书目 328| |▼a学位论文 (硕士) －－武汉理工大学,2022 330| |▼a氧化铪（HfO2）因高介电常数（22~25）、高击穿场强- | |（3.9~6.7 MV/cm）、良好的隔热能... 330| |▼aThe advantages of Hafnium Ox- | |ide (HfO2), such as a high per- | |mittivity, sufficient breakdow- | |n field stre... 510|1 |▼aHigh-throughput growth and s- | |tructural controlling of HfO2 - | |films by laser chemical vapor - | |deposition▼zeng 610|0 |▼a激光化学气相沉积（LCVD）▼AJi Guang Hua- | | Xue Qi Xiang Chen Ji （LCVD ） 610|0 |▼aHfO2薄膜▼AHfO2 Bao Mo 610|0 |▼a显微结构▼AXian Wei Jie Gou 610|0 |▼aLaser chemical vapor deposition (LCVD) 610|0 |▼aHafnium Oxide (HfO2) films 610|0 |▼amicrostructure 690| |▼aTB383.2▼v5 701| 0|▼a刘子鸣▼A Liu Zi Ming▼4著 702| 0|▼a涂溶▼A Tu Rong▼4指导 801| 0|▼aCN▼bWHUTL▼c20221226 905| |▼a403▼b002000064648▼cTD1005287- | |1▼sTB383.2/▼z006▼f2
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