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氮化镓基半导体异质结构及二维电子气 |
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题名/责任者:
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氮化镓基半导体异质结构及二维电子气 / 沈波, 唐宁著 |
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ISBN:
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978-7-5606-5906-0 价格： CNY88.00 |
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语种:
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汉语 |
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载体形态:
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378页 : 图 ; 24cm |
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出版发行:
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西安 : 西安电子科技大学出版社, 2021 |
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内容提要:
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本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题、主要的材料和器件研发成果及其应用情况和发展前景。 |
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主题词:
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氮化镓 半导体材料 异质结 |
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主题词:
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氮化镓 半导体材料 物理性质 |
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中图分类法
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TN304 版次： 5 |
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主要责任者:
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沈波 著 |
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主要责任者:
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唐宁 著 |
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附注:
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国家出版基金项目 |
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标签:
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相关主题:
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相关资源:
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限定馆藏状态:
HEA| |01738cam0 2200349 450 001| |012022076036 005| |20220826151138.8 010| |▼a978-7-5606-5906-0▼b精装▼dCNY88.00 099| |▼aCAL 012021072760 100| |▼a20220825d2021 em y0chiy50 ea 101|0 |▼achi 102| |▼aCN▼b610000 105| |▼aa a 000yy 106| |▼ar 200|1 |▼a氮化镓基半导体异质结构及二维电子气▼Adan hua j- | |ia ji ban dao ti yi zhi jie go- | |u ji er wei dian zi qi▼d= GaN - | |based semiconductor heterostru- | |ctures and two dimensional ele- | |ctron gas▼f沈波, 唐宁著▼zeng 210| |▼a西安▼c西安电子科技大学出版社▼d2021 215| |▼a378页▼c图▼d24cm 225|2 |▼a宽禁带半导体前沿丛书▼Akuan jin dai ban- | | dao ti qian yan cong shu 300| |▼a国家出版基金项目 320| |▼a有书目 330| |▼a本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势, - | |从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率- | |电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子- | |气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题、主要的- | |材料和器件研发成果及其应用情况和发展前景。- 410| 0|▼12001 ▼a宽禁带半导体前沿丛书 510|1 |▼aGaN based semiconductor hete- | |rostructures and two dimension- | |al electron gas▼zeng 606|0 |▼a氮化镓▼Adan hua jia▼x半导体材料▼x异质结 606|0 |▼a氮化镓▼Adan hua jia▼x半导体材料▼x物理性质 690| |▼aTN304▼v5 701| 0|▼a沈波▼Ashen bo▼4著 701| 0|▼a唐宁▼Atang ning▼4著 801| 0|▼aCN▼b人天书店▼c20210527 801| 2|▼aCN▼bXJT▼c20210913 801| 2|▼aCN▼bWHUTL▼c20220826 998| |▼aPUL
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