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SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术 |
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题名/责任者:
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SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术 / (日) 菅沼克昭编著 , 何钧, 许恒宇译 |
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ISBN:
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978-7-111-66953-1 价格： CNY89.00 |
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语种:
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汉语 |
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载体形态:
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195页 : 图 ; 24cm |
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出版发行:
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北京 : 机械工业出版社, 2021 |
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内容提要:
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本书以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术，管芯背焊技术，模制树脂技术，绝缘基板技术，冷却散热技术，可靠性评估和检查技术等。尽管极端环境中的材料退化机制尚未明晰，书中还是总结设计了新的封装材料和结构设计，以尽量阐明未来的发展方向 |
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主题词:
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功率半导体器件 封装工艺 可靠性估计 |
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中图分类法
:
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TN305.94 版次： 5 |
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主要责任者:
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菅沼 主编 |
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主要责任者:
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克昭 主编 |
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使用对象附注:
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功率半导体器件研究者 |
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标签:
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