| 名称: | |
| 描述: | |
| 公开/私有: | 公开 私有 |
标签:
用空格间隔多个标签,如:小说 文学 余秋雨
保存至书单:
HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究 |
|
|
题名/责任者:
|
HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究 / 田媛著 |
|
ISBN:
|
978-7-5517-2274-2 价格： CNY48.00 |
|
语种:
|
汉语 |
|
载体形态:
|
106页 : 图 ; 26cm |
|
出版发行:
|
沈阳 : 东北大学出版社, 2019 |
|
内容提要:
|
本书介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法，内容包括采用低温缓冲层技术生长自支撑GaN单晶、在SiC的C面直接生长自支撑GaN单晶、高温退火法表征GaN中的位错、采用高温退火衬底生长自支撑GaN单晶、采用两步腐蚀衬底生长自支撑GaN单晶等。 |
|
主题词:
|
单晶 晶体生长 研究 |
|
中图分类法
:
|
O782 版次： 5 |
|
主要责任者:
|
田媛 著 |
|
使用对象附注:
|
本书适用于半导体材料研究人员 |
|
标签:
|
|
|
相关主题:
|
|
|
相关资源:
|
|
|
分享资源:
|
|
限定所在馆:
限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01151nam0 2200265 450 001| |012020029652 005| |20201117104523.5 010| |▼a978-7-5517-2274-2▼dCNY48.00 099| |▼aCAL 012020381114 100| |▼a20200911d2019 em y0chiy50 ea 101|0 |▼achi 102| |▼aCN▼b210000 105| |▼aak a 000yy 106| |▼ar 200|1 |▼aHVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究▼AHVPE - | |fa sheng zhang zi zhi cheng Ga- | |N dan jing ji qi xing zhi yan jiu▼f田媛著 210| |▼a沈阳▼c东北大学出版社▼d2019 215| |▼a106页▼c图▼d26cm 320| |▼a有书目 (第92-106页) 330| |▼a本书介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法，内容包括采用- | |低温缓冲层技术生长自支撑GaN单晶、在SiC的C面直接生长自- | |支撑GaN单晶、高温退火法表征GaN中的位错、采用高温退火衬- | |底生长自支撑GaN单晶、采用两步腐蚀衬底生长自支撑GaN单晶- | |等。 333| |▼a本书适用于半导体材料研究人员 606|0 |▼a单晶▼Adan jing▼x晶体生长▼x研究 690| |▼aO782▼v5 701| 0|▼a田媛▼Atian yuan▼4著 801| 0|▼aCN▼bWHUTL▼c20201117 920| |▼a242120▼z1
- 温馨提示：只有“所在馆位置”为“社科自科借阅室、文学借阅室”且“馆藏状态”为“在馆”的图书才能借出，其他“馆藏地点”的书均不可借出。
- “所在图书馆”为“典阅室”的图书只能在室内阅览。
- 查询期刊“现刊架号”请查“报刊指南->期刊分类查询表”。