| 名称: | |
| 描述: | |
| 公开/私有: | 公开 私有 |
标签:
用空格间隔多个标签,如:小说 文学 余秋雨
保存至书单:
电沉积法制备CuInS2和ZnS太阳能电池薄膜材料与性能表征 |
|
|
题名/责任者:
|
电沉积法制备CuInS2和ZnS太阳能电池薄膜材料与性能表征 / 石正忠 |
|
载体形态:
|
58页 ; 30cm |
|
内容提要:
|
是一种直接带隙半导体材料室温下禁带宽度为光吸收系数高达具有高的理论光电转换效率非常...... |
|
内容提要:
|
CuInS_2 is one kind of direct band gap semiconduct... |
|
中图分类法
:
|
TM911 版次： 5 |
|
主要责任者:
|
石正忠 作者 |
|
附注:
|
专业:材料学,导师:夏冬林 |
|
标签:
|
|
|
相关主题:
|
|
|
相关资源:
|
|
|
分享资源:
|
|
限定所在馆:
限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01238nam0 2200289 450 001| |212011000704 100| |▼a20110422f ekmy0chiy50 ea 106| |▼ar 200|1 |▼a电沉积法制备CuInS2和ZnS太阳能电池薄膜材料与性能- | |表征▼Adian chen ji fa zhi bei C - | |u I n S 2 he Z n S tai yang ne- | |ng dian chi bo mo cai liao yu - | |xing neng biao zheng▼f石正忠 215| |▼a58页▼d30cm 300| |▼a专业:材料学,导师:夏冬林 320| |▼a有书目 328| |▼a学位论文 (硕士) －－ 武汉理工大学, 2010 330| |▼a是一种直接带隙半导体材料室温下禁带宽度为光吸收系数高达具- | |有高的理论光电转换效率非常...... 330| |▼aCuInS_2 is one kind of direc- | |t band gap semiconduct... 510|1 |▼aFabrication and characteriza- | |tion of CuInS2 and ZnS thin fi- | |lms materials for solar cells - | |by electrodeposition▼zeng 610|0 |▼aCuInS2▼AC u I n S 2 610|0 |▼aZnS▼AZ n S 610|0 |▼a薄膜▼Abo mo 610|0 |▼aCuInS2▼9CuInS2 610|0 |▼aZnS▼9ZnS 610|0 |▼aThin films▼9Thinfilms 610|0 |▼aElectrodeposition▼9Electrodeposition 610|0 |▼aSolar cells▼9Solarcells 690| |▼aTM911▼v5 701| 0|▼a石正忠▼Ashi zheng zhong▼4作者 801| 0|▼aCN▼bWHUTL▼c20111102
- 温馨提示：只有“所在馆位置”为“社科自科借阅室、文学借阅室”且“馆藏状态”为“在馆”的图书才能借出，其他“馆藏地点”的书均不可借出。
- “所在图书馆”为“典阅室”的图书只能在室内阅览。
- 查询期刊“现刊架号”请查“报刊指南->期刊分类查询表”。