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P型导电SnO2基薄膜及其同质/异质结的研究 |
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题名/责任者:
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P型导电SnO2基薄膜及其同质/异质结的研究 / 倪佳苗 |
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载体形态:
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110页 ; 30cm |
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内容提要:
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透明导电氧化物薄膜的型掺杂是目前半导体材料领域研究热点之一缺乏光电性能良好的型薄膜严重阻碍了透明电子器件的发展...... |
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内容提要:
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As transparent conductive oxide (TCO) thin films，p... |
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中图分类法
:
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TB383 版次： 5 |
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主要责任者:
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倪佳苗 作者 |
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附注:
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专业:建筑材料与工程,导师:赵修建 |
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标签:
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HEA| |01424nam0 2200301 450 001| |212012000919 005| |20120329091247.4 100| |▼a20120319f ekmy0chiy50 ea 106| |▼ar 200|1 |▼aP型导电SnO2基薄膜及其同质/异质结的研究▼AP xi- | |ng dao dian S n O 2 ji bo mo j- | |i qi tong zhi / yi zhi jie de - | |yan jiu▼f倪佳苗 215| |▼a110页▼d30cm 300| |▼a专业:建筑材料与工程,导师:赵修建 320| |▼a有书目 328| |▼a学位论文 (博士) －－ 武汉理工大学, 2010 330| |▼a透明导电氧化物薄膜的型掺杂是目前半导体材料领域研究热点之- | |一缺乏光电性能良好的型薄膜严重阻碍了透明电子器件的发展...- | |... 330| |▼aAs transparent conductive ox- | |ide (TCO) thin films，p... 510|1 |▼aInvestigation of p-type cond- | |ucting SnO2-based thin films a- | |nd their homojunction and hete- | |rojuntion▼zeng 610|0 |▼aP型导电透明薄膜▼AP xing dao dian to- | |u ming bo mo 610|0 |▼aSnO2薄膜▼AS n O 2 bo mo 610|0 |▼ap-n结▼Ap - n jie 610|0 |▼aP-type transparent conductio- | |n film▼9P-typetransparentconductionfilm 610|0 |▼aSnO2 film▼9SnO2film 610|0 |▼aP-n junction▼9P-njunction 610|0 |▼aMagnetron sputtering▼9Magnet- | |ronsputtering 610|0 |▼aPreparation and characteriza- | |tion▼9Preparationandcharacterization 690| |▼aTB383▼v5 701| 0|▼a倪佳苗▼Ani jia miao▼4作者 801| 0|▼aCN▼bWHUTL▼c20120329
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