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硅技术的发展和未来 |
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题名/责任者:
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硅技术的发展和未来 / (法) P. 希弗特, (德) E. 克瑞梅尔编著 , 屠海令等译 |
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ISBN:
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978-7-5024-4536-2 价格： CNY50.00 |
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语种:
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汉语 |
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载体形态:
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xv, 480页 : 图 ; 24cm |
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出版发行:
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北京 : 冶金工业出版社, 2009 |
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内容提要:
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本书涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体等多方面的内容，系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状，并指出了今后的发展方向。 |
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主题词:
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硅 研究 |
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中图分类法
:
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TQ127.2 版次： 4 |
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主要责任者:
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西费尔 编著 |
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主要责任者:
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克里梅尔 编著 |
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次要责任者:
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屠海令 译 |
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责任者附注:
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责任者Siffert规范汉译姓：西费尔; 责任者Krimmel规范汉译姓：克里梅尔 |
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标签:
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限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01431nam0 2200325 450 001| |012009008253 005| |20090526101822.7 010| |▼a978-7-5024-4536-2▼dCNY50.00 099| |▼aCAL 012009063377 100| |▼a20090413d2009 em y0chiy50 ea 101|1 |▼achi▼cfre▼cgre 102| |▼aCN▼b110000 105| |▼aak a 000yy 106| |▼ar 200|1 |▼a硅技术的发展和未来▼Agui ji shu de fa - | |zhan he wei lai▼f(法) P. 希弗特, (- | |德) E. 克瑞梅尔编著▼g屠海令等译 210| |▼a北京▼c冶金工业出版社▼d2009 215| |▼axv, 480页▼c图▼d24cm 314| |▼a责任者Siffert规范汉译姓：西费尔; 责任者Krim- | |mel规范汉译姓：克里梅尔 320| |▼a有书目 330| |▼a本书涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和- | |薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体等多方面的内容，系统总结了世- | |界半导体硅材料的发展历史、研究现状，并指出了今后的发展方向。- 500|10|▼aSilicon : evolution and futu- | |re of a technology▼mChinese 606|0 |▼a硅▼Agui▼x研究 690| |▼aTQ127.2▼v4 701| 1|▼a西费尔▼Axi fei er▼g(Siffert, P. Paul)▼4编著 701| 1|▼a克里梅尔▼Ake li mei er▼g(Krimmel- | |, E. F.)▼4编著 702| 0|▼a屠海令▼Atu hai ling▼4译 801| 0|▼aCN▼b北京图书大厦有限责任公司▼c20090413 801| 2|▼aCN▼bPUL▼c20090508 801| 0|▼aCN▼bWHUTL▼c20090526 998| |▼aPUL
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